Волновое сопротивление зависит от ширины проводника B, от толщины проводника C, от толщины слоя диэлектрика, от диэлектрической проницаемости диэлектрика E.
коммутация в ИМС должна иметь минимальное количество пересечений и минимальную длину проводящих дорожек. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки и, наконец, создавая дополнительный слой изоляции между пересекающимися проводниками;
Волновое сопротивление зависит от ширины проводника B, от толщины проводника C, от толщины слоя диэлектрика, от диэлектрической проницаемости диэлектрика E.
