Сущность наноэлектроники – структуры формируются наращиванием с самоорганизацией вещества.
Основа наноэлектроники – фуллерен С60. Углеродная нанотрубка образуется завертыванием в трубочку листа графена (однослойный графит). Удельное сопротивление нанотрубок от 5,1*10-6 до 0,8 Ом*см. ( меди - 0,0172* 10-4 Ом*см). Минимальное удельное сопротивление на порядок ниже, чем у графита. Большая часть нанотрубок обладает металлической проводимостью, а меньшая проявляет свойства полупроводника с шириной запрещённой зоны от 0,1 до 0,3 эВ.
При передаче сигнала используется пучок нанотрубок (трубки пускают однонаправлено, так как электроны, идущие по отдельным нанотрубкам сильно влияют друг на друга).
Первый полевой транзистор на основе углеродных нанотрубок получен в 2001 году компанией IBM.
Технология КНИ – кремний на изоляторе (предшественник КНС – кремний на сапфире – вместо изолятора в виде диэлектрика располагался сапфир). Преимущества: уменьшается паразитная емкость, увеличивается быстродействие при переключении транзистора.
Одноэлектронный транзистор – транзистор, в основе концепции которого лежит возможность получения заметных изменений напряжения при манипуляции с отдельными электронами. Такая возможность имеется, в частности, благодаря явлению кулоновской блокады.
