11. Диоды на основе биполярных транзисторов

В полупроводниковых интегральных микросхемах в качестве диодов используют либо двухслойные структуры с одним р-n-переходом, либо транзисторы в диодном включении

Диодное включение транзисторов
Пять возможных вариантов включения интегрального транзистора для образования диода:

Переход баз-эмиттер с коллектором, закороченным на базу
Переход коллектор- база с эмиттером, закороченным на базу
Параллельное включение обоих переходов
Переход база-эмиттер с разомкнутой цепью коллектора
Переход база коллектор с разомкнутой цепью эмиттера

Вариант включения	Значения параметров
Вариант включения	Напряжение пробоя Uпр, В	Обратный ток Iобр, нА	Емкость диода C, пФ	Паразитная емкость на подложку С0 пФ	Время восстановления обратного тока tв нс
БК - Э	7-8	0,5 – 1	0,5	3	10
БЭ – К	40-50	15 – 30	0,7	3	50
Б – ЭК	7-8	20 – 40	1,2	3	100
Б – Э	7-8	0,5 – 1	0,5	1,2	50
Б - К	40-50	15 – 30	0,7	3	75